Транзистор FLK057WG Fujitsu
Hersteller: Fujitsu
Транз. Пол. СВЧ GaAs FET; Ku band; WG; @(14.5 GHz, 10V, 120 mA): P-1dB=27.0 dBm, G-1dB=7.0 dB, IP3=, Nf=; Idss=200..300 mA; PAE=32%
Транз. Пол. СВЧ GaAs FET; Ku band; WG; @(14.5 GHz, 10V, 120 mA): P-1dB=27.0 dBm, G-1dB=7.0 dB, IP3=, Nf=; Idss=200..300 mA; PAE=32%
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 445.07 EUR |
| 10+ | 404.61 EUR |
| 100+ | 385.35 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details Транзистор FLK057WG Fujitsu
Транз. Пол. СВЧ GaAs FET; Ku band; WG; @(14.5 GHz, 10V, 120 mA): P-1dB=27.0 dBm, G-1dB=7.0 dB, IP3=, Nf=; Idss=200..300 mA; PAE=32%.