Hersteller: Richmeters
Werkzeuge und Geräte > Messgeräte
Gruppe: Мультиметри
Beschreibung: Цифровий мультиметр True RMS c NCV. Розрядність шкали мультиметра: 6000 відліків. Постійна напруга: 1V-600V: ± 0.8%, змінна напруга: 1V-600 V: ± 1.0%, постійний / змінний струм: 0,05 ~ 10A, опір: 1Ohm-60MOhm: ± 1, вимір ємності: 0,001nF ~ 100mF : ± 4,0%, вимірювання частоти: 10Hz-1Mhz. Температура: -50 ... + 1300 ° C. Прозвонка, тест діодів, підсвічування, утримання даних, ліхтарик. Живлення: 3xAAA. Габарити: 147x71x45 мм

Drosseln > Induktivität(Drosseln) THT niedriger Leistung
Nennwert: 1000 uH
Genauigkeit: +/-10%
Beschreibung und Eigenschaften: аксіальні
Abmessungen und Größe: 3х8мм (DxL), d виводів = 0,6мм

Hersteller: Panasonic
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: SO-24D
U Strom, V: 14
P, W: 68
R Last., Om: 4
K g, %: 0.15
Bemerkung: Special Application Signal Processing Circuit
Робоча температура, °С: -20…+75°C

Hersteller: Rohm
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: SIP2-12
U Strom, V: 6...18
P, W: 2x4,5
R Last., Om: 4
K g, %: 0.1
Робоча температура, °С: -25…+75°C

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 40
Idd,A: 350
Rds(on), Ohm: 01.07.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 8920/220
JHGF: THT

Hersteller: Sanyo
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: SIP-10H
U Strom, V: 10...32 V
P, W: 2x6 W
R Last., Om: 8 Ohm
K g, %: 0,001
Bemerkung: 6W Dual-Channel AF Power Amplifier
Робоча температура, °С: -20…+75°C

Hersteller: Sanyo
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: SIP-12H
U Strom, V: 10...16 V
P, W: 2x5,5 W
R Last., Om: 4 Ohm
K g, %: 0,0015
Bemerkung: 5.5W 2-Channel AF Power Amplifier
Робоча температура, °С: -20…+75°C

Hersteller: Sanyo
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: SIP-10H
U Strom, V: 13,2 V
P, W: 1x12 W
R Last., Om: 4 Ohm
K g, %: 0,001
Bemerkung: 12W AF Power Amplifier
Робоча температура, °С: -40…+85°C

Hersteller: Sanyo
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: SIP-13H
U Strom, V: 7,5...18 V
P, W: 2x5 W
R Last., Om: 8 Ohm
K g, %: 0,0015
Bemerkung: 5 W, Two-channel Power Amplifier with Very Few External Parts

Hersteller: NSC
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: TO-220-5
U Strom, V: ±10...±30
P, W: 25
R Last., Om: 4
K g, %: 0.1

Hersteller: Motorola
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: SO-28
U Strom, V: 3,5...6,5
R Last., Om: 400
K g, %: 0.15
Bemerkung: Mikrofon Verstärker
Робоча температура, °С: -20…+60°C

Hersteller: Bochen
Passive Bauelemente > Thermistoren
Beschreibung: NTC термістор; THT; 3270K; -55...+125°C; 5%
Nennwert: 1 kOhm
Застосування: Вимірювальні
Струм,макс.: 0,001A
Тип: NTC
Розмір: 2,3x2,8 mm

Hersteller: Bochen
Passive Bauelemente > Thermistoren
Beschreibung: NTC термістор; THT; 3950K; -55...+125°C; 5%
Nennwert: 100 kOhm
Застосування: Вимірювальні
Струм,макс.: 0,001A
Тип: NTC
Розмір: 2,3x2,8 mm

Hersteller: Bochen
Passive Bauelemente > Thermistoren
Beschreibung: NTC термістор; THT; 3270K; -55...+125°C; 5%
Nennwert: 470 Ohm
Застосування: Вимірювальні
Струм,макс.: 0,001A
Тип: NTC
Розмір: 2,3x2,8 mm

Hersteller: RuiDeng
Werkzeuge und Geräte > Labornetzteile
Beschreibung: Вбудовуваний лабораторний блок живлення версія без комунікацій. Складається з двох частин: силовий та модуля управління. Роздільна здатність вихідної напруги/струму: 0,01V/0,001A. Точність: 0,5%. Захист від перевантаження та короткого замикання. Яскравість дисплея, що регулюється. Пам'ять на 10 каналів для встановлення режимів роботи. Працює як на підвищення так і на зниження напруги. Для нормальної роботи треба добре стабілізоване джерело живлення. Габарити: модуль керування: 79x43x41mm, силовий модуль: 93x71x41mm.
Eingangsspannung: 6...50 VDC
Ausgangsspannung: 0...50 VDC
Ausgangsstrom: 5 A
Leistung: 160 W
Abmessungen, mm: 79x43x41 mm

Hersteller: Toshiba
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: HZIP-12P
U Strom, V: 18 V
P, W: 1x23 W
R Last., Om: 4 Ohm
K g, %: 0,001
Робоча температура, °С: -30…+85°C

Hersteller: Philips
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: DBS-13P
U Strom, V: 6...18
P, W: 2x12
R Last., Om: 2
K g, %: 0.1

Hersteller: NXP
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: SIL-9MPF
U Strom, V: 6...18
P, W: 2x6
R Last., Om: 4
K g, %: 0.1

Hersteller: NXP
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: SIL-17P
U Strom, V: 6...18
P, W: 2x22
R Last., Om: 4
K g, %: 0.1

Hersteller: NXP
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: SIP2-13
U Strom, V: 6...18
P, W: 2x22
R Last., Om: 4
K g, %: 0.1

Hersteller: Philips
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: SOT-243
U Strom, V: 6...18
P, W: 4x11
R Last., Om: 2
K g, %: 0.1

Hersteller: ST
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: TO-220-5
U Strom, V: 8...18
P, W: 10
R Last., Om: 2
K g, %: 0.1
Робоча температура, °С: -40…+85°C

Hersteller: NXP
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: SIL-9MP
U Strom, V: 15...42
P, W: 6
R Last., Om: 8
K g, %: 0.15

Hersteller: ST
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: Multiwatt-15
U Strom, V: 6...18
P, W: 15
R Last., Om: 8
K g, %: 0.1
Bemerkung: 15+15W DUAL BRIDGE AMPLIFIER
Робоча температура, °С: 0…+70°C

Hersteller: NXP
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: SO-8
U Strom, V: 5
P, W: 1,2
R Last., Om: 8
K g, %: 0.15
Робоча температура, °С: -40…+85°C

Hersteller: NXP
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: DBS-17P
U Strom, V: 6...18
P, W: 4x12
R Last., Om: 4
K g, %: 0.1
Робоча температура, °С: -40…+85°C

Hersteller: NXP
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: DBS-17P
U Strom, V: 6...18
P, W: 4x12
R Last., Om: 4
K g, %: 0.1
Робоча температура, °С: -40…+85°C

Hersteller: NXP
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: DBS-23P
U Strom, V: 6...18
P, W: 4x25
R Last., Om: 4
K g, %: 0.1
Робоча температура, °С: -40…+85°C

Hersteller: TI
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: TSSOP-16
U Strom, V: 2,7...5,5
P, W: 1
R Last., Om: 8
K g, %: 0.1
Bemerkung: Klasse D
Робоча температура, °С: -40…+85°C

Hersteller: Atorch
Werkzeuge und Geräte > Messgeräte
Gruppe: Тестер акумуляторів
Beschreibung: Тестер зарядних пристроїв. Підтримує протоколи: Apple 2.4A/BC1.2, Huawei SCP/FCP/QC2.0/QC3.0/ PD2.0/ PD3.0/ VIVO/ OPPO. Діапазон вимірювання напруги: 3,6V~32,0V. Діапазон вимірювання струму: 0,00~5,10A. Сумарний діапазон ємності: : 0~99999mAh. Кумулятивний діапазон потужності: 0~999999Wh. Діапазон вимірювання потужності: 000,00~150,00W. Імпеданс: діапазон вимірювання: 1~999,9 Ohm. Діапазон вимірювання температури: 0~80℃. Час діапазон вимірювання: 999 годин 59 хвилин 59 секунд. Час оновлення: 500 мс. Розмір: 61x68x10,8мм.

Hersteller: Тестер акумуляторів
Werkzeuge und Geräte > Messgeräte
Beschreibung: Тестер внутрішнього опору акумулятора. Діапазон вимірювання опору: 0,001 mOhm...200 Ohm. Точність вимірювання опору: ± 0,5%. Діапазон вимірювання напруги: 0,001V...100 VDC. Точність вимірювання напруги: ± 0,5%. Швидкість виміру: 10 вим / сек. Тестовий струм: 50 мА (20 мОм) / 5 мА (200 мОм - 2 Ом) / 0.5 мА (20 - 200 Ом). Підтримує ручний або автоматичний вибір діапазону опору та напруги. Чорно-білий РК-дисплей з підсвічуванням. Робить вимір внутрішнього опору акумуляторів або акумуляторних збірок будь-якого типу (до 100 V) за допомогою змінного струму 1 кГц. USB micro для зарядки тестера або як послідовний порт. Мова інтерфейсу: англійська, китайська. Габарити: 166x80x28mm.
Вимірювання напруги та струму: 1 mV...100V/
Вимірювання опору: 0,001 mOhm...200 Ohm

Hersteller: Littelfuse
Плавкий керамічний запобіжник з аксіальними виводами; Iспр = 30 А; Uac, В = 250; Udc, В = 125; Розмір, мм = 6,99 х 32,72; I?T = 2 490; R, Ом = 0,0018; Тексп, °C = -55...+125; Axial

Hersteller: Laird-Signal Integrity Products
Феритовий фільтр SMD (чіп-дросель); Тип ф. = L фільтр; Idc, A = 10; R, Ом = 0,001; Rac, Ом = 115; Габ розм, мм = 3.3x1.8mm; Діап. перешкодозав. = 100МГц; Тексп, °С = -40 - +125; 3318

Hersteller: MG Chemicals
Медно-серебряная токопроводящая/экранирующая 2-компонентная (4A:1B) краска Super Shield™ на эпоксидной основе, 0,0018 Омхсм, 34-89 дБ (10 кГц-18 ГГц), жидкость, 810 мл/810 г

Hersteller: SECH
330F 3.0V 35x63mm; PCB; ESR 0.0012 Ohm, oper. temp.: -40C~+65C C35S-3R0-0330 SECH Supercapacitor KGHP C35S-3R0-0330
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke

Hersteller: Vishay
Індуктивність потужна SMD 1,5 мкГн 20% 42 A 0,00188 Ом

Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 24V 353A 300W 0,0015Ω IRF1324 TIRF1324
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 24V 195A 300W 0,00165Ω IRF1324S TIRF1324s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=82A; Pdmax=330W; Rds=0,0013 Ohm

Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO247 Udss=40V; Id=195A; Rds=0,0017 Ohm; RoHS

Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 240A 60V 380W 0.0019Ω IRLS3036 TIRLS3036
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke

Hersteller: Maxim/Dallas/AD
Компаратор; Число комп, шт = 1; Tplh/Tphl, нс = 7; Uoffset, В = 0,0015; Uживл, В = 2,7...5,5; Тексп, °С = -40...+85; Тип вих. каск. = КМОП, TTL; SOICN-8

Hersteller: Bel Fuse
Плавкий запобіжник вивідний; Iспр = 125 мА; Uac, В = 125; Udc, В = 125; Розмір, мм = 3,18 x 7,10; I?T = 0,0012; R, Ом = 2,05; Тексп, °C = -55...+125; 3.18x7.10mm

Hersteller: Bourns
Індуктивність потужна SMD 1 мкГн 10% 30 A 0,0012 Ом сердцевина - Ferrite, PQ26

Hersteller: NXP
N-MOSFET 100A 25V 179W 0.0013Ω PSMN1R2-25YLC TPSMN1r2-25ylc
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ ВЧ LDMOS PG-RFP-10 (TSSOP10 SMD) 10 W 1.0-2.0 GHz Udss=65V Id=0.001A Rds=0.83Ohm

Hersteller: Texas Instruments
Супервізор живлення; Uth, В = 4,55; Iвих, мА = 30; Iживл, мкА = 0,5; tз, мс = 0,001; Наявн. ручн. RESET = Так; Тексп, °С = -40...+85; Тип вих. каск = Комплементарний; SOICN-8

Hersteller: Eaton Bussmann
Плавкий запобіжник smd; Iспр = 25 А; Udc, В = 24; Розмір, мм = 3,20 x 1,60 x 0,89; I?T = 32; R, Ом = 0,0014; Тексп, °C = -55...+125; 1206

Hersteller: Conquer Electronic
Плавкий керамічний запобіжник; Uac, В = 250; Розм = 5 x 20 мм; Iспр. = 25 А; Rdc, Ом = 0,0018; 5x20mm

Hersteller: Panasonic
Конденсатор пленочный; С = 0,001 мкФ; Uном(DC), В = 1 600; Точн, % = 5; Rm, мм = 15; Габ. розм, мм = 18 x 15 x 6,5; Тексп, °С = -40...+105; Тип вив. = радіальні; Діел. = Polypropylene (PP), Metallized; Застосування = НВЧ комутатори; 18.00 x 6.50 mm

Hersteller: Stackpole Electronics, Inc.
0,001 Ом 2512 1 % 2W TCR=50ppm

Hersteller: Murata
Дросель SMD дротяний; L = 820 нГн; Idc, А = 0,4; Точн, % = 5; Q = 45 @ 100 МГц; Rdc, мОм = 0,0016; SRF, МГц = 350; Габ. розм, мм = 2,62 x 2,45 x 2,03; Тексп, °С = -55...+125; Екранування = Ні; Тип осердя = Повітряне; 1008

Hersteller: Maynuo Electronic Co.,Ltd
Программируемый источник питания (DC) (0-1 A, 0-30 В, 30 Вт, разрешение 0.1 мВ/0.001 мА, встроенный 5 1/2 вольтметр и милиомметр)

Hersteller: STMicroelectronics NV
N-CH 30 V, 0.0014 Ом(тип.), 35 A - PowerFLAT™ (6x5)

Hersteller: Vishay Dale
Чіп-резистор smd; R = 0,001 Ом; Точ, % = 1; Р, Вт = 0,5; ТКО, ppm/°C = 275; Типор-р = 2010; Тексп, °С = -65...+170; 2010

Hersteller: Vishay Dale
0,001 Ом 2726 1 % 5W

Hersteller: Walsin
Чіп-резистор smd; R = 0,001 Ом; Р, Вт = 1 Вт; Розм = 1206; Тексп, °C = -55...+155; ТКО, ppm/°C = 100; Точн., % = 1; 1206

Hersteller: TT Electronics/Welwyn
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Resistenz: 0,001 Ohm
Präzision: ±1%
P Nenn.,W: 3 W
Größe Typ: 2512

Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206