Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - Zement-, 2 - 25W
Resistenz: 0,13 Ohm
Leistung: 5W
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
U Betriebs.,V: 750V
Abmessungen, mm: 22,0x10,0x9,5; dAusfuhr.=0,8
Typ: Ausfuhrungs-, Zement-, Draht-

Hersteller: Ducati
Kondensatoren > Kondensatoren für Motoren
Kapazität: 8uF
Spannung: 425VAC
Präzision: ±5%
Вид з’єднання: З проводом
Діаметр/Ширина: O32 mm
Висота: 55 mm

Hersteller: Sumida
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 33 uH
Genauigkeit: ±20%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht auf gepanzerten Ferritkern, 33uH, ±20%, Idc=0.96A, Rdc max/typ=0.17/0.13 Ohm, SMD: 7.5x7.5mm, h=4.5mm
Typ: Leistungs- SMD Ferritkern gepanzert
Abmessungen: 7,5x7,5mm, h=4,5mm
Робочий струм, А: 0.96A
№ 7: 8504 50 20 90

Hersteller: AnlaTech/IH
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 68 uH
Genauigkeit: ±20%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht auf gepanzerten Ferritkern, 68uH, ±20%, Idc=2.1А, Rdc=0.13 Ohm, SMD: 7.3x7.3mm, h=4.6mm
Typ: Leistungs- SMD Ferritkern gepanzert
Abmessungen: 12,0x12,0mm, h=6,0mm
Робочий струм, А: 2.1A
№ 7: 8504 50 20 90

Hersteller: AnlaTech/IH
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 33 uH
Genauigkeit: ±20%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht auf Ferrithantel, 33uH, ±20%, Idc=1.2А, Rdc=0.13 Ohm, SMD: 7.8x7.0mm, h=5.0mm
Typ: Leistungs- SMD auf Ferrithantel
Abmessungen: 7,8x7,0mm, h=5,0mm
Робочий струм, А: 1.2A
№ 7: 8504 50 20 90

Hersteller: Murata
Drosseln > Induktivität 0603
Nennwert: 15nH
Genauigkeit: ±5%
Größe: 0603
Eigenschaften: Draht auf Keramik; Rated current max=600mA
№ 6: 600 mA
Опір: 0,13 Ohm

Hersteller: TDK
Drosseln > Induktivität 1210
Номінал: 1210
Точність: 15uH
Габарити або типорозмір: ±10%
Номінальный струм: 130 mA
Опір: 2,8 Ohm

Hersteller: Bochen
Drosseln > Induktivität(Drosseln) THT niedriger Leistung
Nennwert: 22 µH
Genauigkeit: ±10%
Beschreibung und Eigenschaften: аксіальні, I=0.13A, R=3.4 Ohm, Q=50@f=2.52MHz, SRF=9,6MHz
Abmessungen und Größe: 3,0x7мм

Hersteller: KLS
Drosseln > Induktivität(Drosseln) THT niedriger Leistung
Nennwert: 330 uH
Genauigkeit: ±10%
Beschreibung und Eigenschaften: axiale, I=0.137 A, R=6.4 Ohm, Q=65@f=0.796MHz, SRF=2.6MHz,-20...+100°C
Abmessungen und Größe: 4,0x10mm (DxL), d Ausgang=0,65mm

Hersteller: KLS
Drosseln > Induktivität(Drosseln) THT niedriger Leistung
Nennwert: 390 uH
Genauigkeit: ±10%
Beschreibung und Eigenschaften: axiale, I=0.133 A, R=7 Ohm, Q=65@f=0.796MHz, SRF=2.4MHz,-20...+100°C
Abmessungen und Größe: 4,0x10mm (DxL), d Ausgang=0,65mm

Hersteller: Matsushita
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: DIP-18
U Strom, V: 4,5
P, W: 2x0,13
R Last., Om: 4
Робоча температура, °С: -20…+75°C

Hersteller: Infineon
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SOT-23
Vrrm(V): 4
If(A): 0,13
VF@IF: 0,6
Bemerkung: zwei
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A

Hersteller: UMW
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50 V
Id,A: 0,13 A

Hersteller: ON
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50
Id,A: 0.13
Rds(on),Om: 10
Ciss, pF/Qg, nC: 40/
/: SMD

Hersteller: JSCJ
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50 V
Id,A: 0,13 A
Rds(on),Om: 4,7 Ohm
/: SMD

Hersteller: ON
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-251
Uds,V: 60 V
Id,A: 7,6 A
Rds(on),Om: 0,135 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/21
/: THT

Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TSOP-6
Uds,V: 20
Id,A: 1.8/2.2
Rds(on),Om: 0.135
Ciss, pF/Qg, nC: 320/3.6
Gebr.: 2P
/: SMD

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 50
Idd,A: 3
Rds(on), Ohm: 0.13
Ciss, pF/Qg, nC: 01.12.290
Bem.: 2N
JHGF: SMD

Hersteller: ToolkitRC
Netzteile und Ladegeräte > Ladegeräte (für Akku)
Beschreibung: Компактний розумний зарядний пристрій. Для акумуляторних збірок: LiPo/LiHV/LiFe/LiIon/LTO: 1-6cells, NiMH/NiCd: 4-16cells, Pb: 1-10S. Зарядний струм макс.: 0.1-15A@300W. Виходи XT30 та XT60. Потужність розряду: 0.1-3A@15W або 0.1-15A@300W(Рециркуляція). Струм балансування: 0,8A макс. Вихід: USB-A 5V/2.1A. Працює як регульоване настільне джерело живлення. Вимірювання та генератор сигналів PWM, PPM, SBUS, тестування ESC. Кольоровий дисплей LCD 2.4" 320*240. TF картка до 16 GB. Потужність залежить від джерела: AC джерело живлення: до 100 Вт; DC джерело живлення: до 300 Вт. Оновлюється через USB
U ein.: 100...240 VAC/ 7...28 VDC
Strom aus.: 15 A
Leistung: 300 W
Abmessungen: 112x73x38 mm
Варіант виконання: Розумний зарядний пристрій

Hersteller: ToolkitRC
Netzteile und Ladegeräte > Ladegeräte (für Akku)
Beschreibung: Компактний розумний зарядний пристрій. Кут нахилу дисплея змінюється на 85°. Для акумуляторних збірок: LiPo/LiHV/LiFe/LiIon/LTO: 1-8S, NiMH: 1-20S, Pb: 1-10S. Зарядний струм макс.: 0,1...20A@600W. Виход XT60. Потужність розряду: 0.1-3A@20W або 0.1-20A@600W(Рециркуляція). Струм балансування: 1A макс. Вихід: USB-С: 65W PD/QC/PPS/AFC/SCP. USB-A: 18W. Може працювати як регульоване настільне джерело живлення 1...35V CC/CV. Вимірювання та генератор сигналів PWM, PPM, SBUS, тестування ESC. Голосові підказки. Кольоровий дисплей IPS 2.4" 320*240. Підтримує TF картку до 16 GB (встановлена на microSD256Mb). Живлення DC: 7.0-35V@MAX 25A. Оновлюється через USB.
U ein.: 7...35 VDC
Strom aus.: 20 A
Leistung: 600 W
Abmessungen: 108x71x36 mm
Варіант виконання: Розумний зарядний пристрій

Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Контакт "мама" луджений. Для дроту з перерізом: 0,03 ... 0,13мм2. Серія роз'єму: PicoBlade, під обтиск, струм: 1А.
Stecker/Buchse: Контакти / наконечники
Серія роз’єма: PicoBlade

Hersteller: NXP
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 20
Idd,A: 01.07.1944
Rds(on), Ohm: 0.135
Ciss, pF/Qg, nC: 800
JHGF: SMD

Modulare Elemente > Programmierer und Debugging-Tools
Beschreibung: Плата для розробки пристроїв. Мікроконтролер: RP2040 ARM Cortex M0+, 133 МГц. Підтримка: WiFi IEEE 802.11 b/g/n та Bluetooth® 5.2. USB 1.1 Host та Device режим. GPIO: 26. Периферія: 16× PWM, 2× I2C, 2× SPI, 2× UART, 3× 12-bit ADC. Пам'ять: 264kB on-chip SRAM, 2MB on-board QSPI flash. Датчик температури. Прискорювач обчислень з плаваючою точкою. Завантаження програми за допомогою запису файлу USB micro.
Тип засобів розробки: Налагоджувальна плата

Hersteller: JEC
Passive Bauelemente > Kondensatoren Superkondensatoren, Ionistoren
Kapazität: 0,5 F
Betriebsspannung: 2,7 V
Abmessungen und Ausgangsabstand: D=5; L=12 mm
Beschreibung: Вертикальна установка, відхилення ємності -20%~+50%. Внутрішній опір ESR: AC 1kHz/mOhm@25°C: 500. Температурний діапазон -40 ~ +70°C, термін служби при 70°C - 1000 годин
Струм_розряду,макс: 0,13 A

Hersteller: Zeenko
Werkzeuge und Geräte > Messgeräte
Gruppe: Аналізатор спектру
Beschreibung: Аналізатор спектру. Кольоровий дисплей: TFT 2,8” (320х240), що показує до 290 точок сканування. Два входи: вхід MF/HF/VHF високої якості для частот 0,1-350 МГц, вхід UHF нижчої якості для частот 240-960 MHz. Генератор сигналів з двома виходами, синусоїдальним виходом для 0,1-350 MHz і прямокутним виходом для 240-960 MHz, якщо він не використовується як аналізатор спектру. Смужні фільтри з роздільною здатністю для обох діапазонів від 2,6 kHz до 640 kHz. Атенюатор вхідного кроку від 0 до 31 dB (не може використовуватися в поєднанні з LNA). Інтерфейс USB Type-C. Живлення: акумулятор Li 3,7.

Hersteller: Littelfuse
Sicherungen > Rückstellbare Sicherungen
Gehäuse: Вивідний
Spannung, max., V: 30 V
Strom, max., А: 40 A
Strom, betriebs-, mA: 1,35 A
Widerstand, max. : 0,13 Ohm
Widerstand, min.: 0,04 Ohm
Weitere Merkmale: PTC

Hersteller: Jantzen Audio
Air Core Coil 110 мкГн 3% 0,133 Ом AWG18 (1 мм) (Dxh) 36x15 мм; +155°C

Hersteller: Bel Fuse
Самовідновлюючий запобіжник smd; Umax, В = 8; Розм, мм = 1210; I, А = 100; Ihold = 750 мА; It, А = 1,5; Pd, Вт = 0,6; Rпоч. = 0,13...0,40 Ом; ts (It) = 0,1 с; Тексп, °С = -40...+85; 1210

Hersteller: Littelfuse
Самовідновлюючий запобіжник smd; Umax, В = 24; Розм, мм = 1210; I, А = 100; Ihold = 750 мА; It, А = 1,5; Pd, Вт = 0,6; Rпоч. = 0,13...0,40 Ом; ts (It) = 0,1 с; Тексп, °С = -40...+85; 1210

Hersteller: FACOM
Category: Wrenches and Combination Wrenches
Description: Wrench; combination spanner; 13mm; L: 170mm; satin
Type of tool: wrench
Kind of wrench: combination spanner
Spanner size: 13mm
Length: 170mm
Conform to the norm: DIN 3113; ISO 691; ISO 1711-1; ISO 3318; ISO 7738
Key features: satin

Hersteller: EPCOS
L-0805 2,2 мкГн 5% 0,13 A 1,6 Ом

Hersteller: TDK Corporation
L-0805 15 нГн 5% 0,65 A 0,13 Ом Qmin=50

Hersteller: EPCOS
L-0805 47 нГн 5% 600 мА 0,13 Ом Qmin=65

Hersteller: Murata
Феритовий фільтр SMD (чіп-дросель); Тип ф. = диференційний, перешкодозавадний; Idc, A = 1,5; Розм = 0603; R, Ом = 470; Rdc, Ом = 0,13; Тексп, °C = -55...+125; Тип монт. = smd; 0603

Hersteller: ONS
Транзистор полевой SOT-23 P-MOSFET Vdss=50V, Id=0,13A, Rds=10 Ohm @ 100mA, 5V

Hersteller: Vishay Semiconductor
Стабілітрон SMD; Uz, В = 43; Zzt, Ом = 60; Ptot, Вт = 0,41; Irl, мкА @ Ur, В = 0,1 @ 32; Тексп, °C = -55...+150; Точн., % = 5; SOD-123

Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Стабілітрон вивідний; Uz, В = 10; Zzt, Ом = 20; Ptot, Вт = 0,4; If, мА = 10; Irl, мкА @ Ur, В = 0,2 @ 7; Uf, В = 0,9; Тексп, °C = -65...+200; Точн., % = 5; DO-35

Hersteller: Murata
Керамічний резонатор smd; F = 16 МГц; C, пФ = 15; ESR, Ом = 140; Стаб. ч-ти, ppm = 0,13 %; Тексп, °C = -40...+125; Точн. част., ppm = 0,07 %; 3.2х1.3mm(SMD-3)

Hersteller: Panasonic Electronic Components
Конденсатор електролітичний радіальний низькоімпедансний; С = 220 мкФ; U, В = 10; Розм = 6,3 х 12,7 мм; Точн., % = 20; Ir = 318,5 мА; R, Ом = 0,13; Крок, мм = 2,5; Тексп, °C = -40...+105; Термін експл., г @ T,°C = 5000 @ 105; 6.3х12.7mm

Hersteller: ON-Semicoductor
P-MOSFET 3.5A 20V 1W 0.13Ω FDS9431A TFDS9431a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

Hersteller: ON-Semicoductor
P-MOSFET 3.5A 20V 1W 0.13Ω FDS9431A TFDS9431a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

Hersteller: ON-Semicoductor
P-MOSFET 3.5A 20V 1W 0.13Ω FDS9431A TFDS9431a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

Hersteller: ON-Semicoductor
P-MOSFET 3.5A 20V 1W 0.13Ω FDS9431A TFDS9431a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ TSOP6 Id=-2,2A Udss=-20V Pd=0,96W Rds=0,135Ohm

Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm

Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik MICRO8 Udss=20V; Id=2,4A; Pdmax=1,25W; Rds=0,135 Ohm

Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik MICRO8 Udss=(20; -20)V; Id=(2,4; -1,7)A; Pdmax=1,25W; Rds=(0,135; 0,27) Ohm

Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik MICRO8 Udss=(30; -30)V; Id=(2,4; -1,7)A; Pdmax=1,25W; Rds=(0,135; 0,27) Ohm

Hersteller: Murata
L-0402 3,9 нГн +/- 0,3 нГн 0,7 A 0,13 Ом Qmin=8 Fsrmin=6 ГГц

Hersteller: Murata
L-0402 7,5 нГн 2% 0,57 A 0,13 Ом Qmin=25 @ 250мГц Fsf=6 GHz -55°C~125°C

Hersteller: Murata
L-0603 12 нГн 2% 0,6 A 0,13 Ом Q=35

Hersteller: Murata
L-0603 15 нГн 2% 600 мА 0,13 Ом Q=40

Hersteller: Fastron
Дросель ВЧ з аксіальними виводами; L = 220 мкГн; Idc, А = 0,13; Точн, % = 10; Rdc, мОм = 5 800; SRF, МГц = 3,8; Габ. розм, мм = 3,3 x 7,0; Тип монт. = вивідний; Екранування = Ні; Axial

Hersteller: Raychem/TE Connectivity
Самовідновлюючий запобіжник; Umax, В = 72; Розм, мм = 20.8; I, А = 40; Ihold = 2,5; It, А = 5; Rпоч. = 0.13 Ом; Тексп, °С = -40...+85; radial

Hersteller: Infineon
P-MOSFET 18.7A 60V 81.1W 0.13Ω SPP18P06P TSPP18p06p
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

Hersteller: Bourns
Підстроювальний резистор; R = 10 кОм; Розм = 3,8 x 3,6 x 1,2; Точн., % = 25; Підтип = однооборотний; Розт. рег. ел. = зверху; Тексп, °C = -40...+100; Тип за вир. = Trimpot® TC33 - Open Frame; Тип монт. = SMD; ТКО, ppm/°C = 250; 0,1; 3.8x3.6x1.2mm

Hersteller: Raychem/TE Connectivity
Самовідновлюючий запобіжник; Umax, В = 60; Розм, мм = 3.4 x 9.4; I, А = 3; Ihold = 0,13; It, А = 0,26; Pd, Вт = 1,1; Rпоч. = 20 Ом; Тексп, °С = -40...+85; SMD

Hersteller: TAI-SEM
P-MOSFET 2.8A 20V 0.9W 0.13Ω TSM2301CX(RF) has been changed to TSM2301CX(RFG) TSM2301CX TTSM2301cx
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke