10A10-T/B MDD
Hersteller: MDDDescription: DIODE GEN PURP 1KV 10A R-6
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
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Technische Details 10A10-T/B MDD
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A R-6, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: R-6, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: R-6, Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||
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| 10A10-T/B | Hersteller : Microdiode Electronics |
10A10-T/B |
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