1ED3120MU12HXUMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DGT ISO 1.2KV 1CH GT DVR DSO8-66
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 5.5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5.5A, 5.5A
Voltage - Isolation: 1200Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-8-66
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
Description: DGT ISO 1.2KV 1CH GT DVR DSO8-66
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 5.5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5.5A, 5.5A
Voltage - Isolation: 1200Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-8-66
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4+ | 7.15 EUR |
10+ | 6.42 EUR |
25+ | 6.06 EUR |
100+ | 5.16 EUR |
250+ | 4.85 EUR |
500+ | 4.24 EUR |
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Technische Details 1ED3120MU12HXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 1ED3120MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 5.5A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 5.5A, Treiberkonfiguration: High-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: -, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 5.5A, Versorgungsspannung, min.: 3.1V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EiceDRIVER 1ED, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 15V, Eingabeverzögerung: 90ns, Ausgabeverzögerung: 90ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Weitere Produktangebote 1ED3120MU12HXUMA1 nach Preis ab 3.56 EUR bis 7.2 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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1ED3120MU12HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Gate Drivers ISOLATED DRIVER |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 173-187 Tag (e) |
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1ED3120MU12HXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3120MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 5.5A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 5.5A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5.5A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1ED3120MU12HXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3120MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 5.5A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 5.5A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5.5A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1ED3120MU12HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | CONTACT,SKT,1/4 DOUBLE CROWN, SILVER |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1ED3120MU12HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Single-Channel 5.7 kV rms Isolated Gate Driver IC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1ED3120MU12HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Single-Channel 5.7 kV rms Isolated Gate Driver IC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1ED3120MU12HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DGT ISO 1.2KV 1CH GT DVR DSO8-66 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 5.5A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 5.5A, 5.5A Voltage - Isolation: 1200Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: PG-DSO-8-66 Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V |
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