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1N1200A

1N1200A GeneSiC Semiconductor

1n1199a.pdf Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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Technische Details 1N1200A GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 100V 12A DO4, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: DO-4, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V.

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1N1200A 1N1200A Hersteller : GeneSiC Semiconductor 1n1200a-2453040.pdf Rectifiers 100V 12A Std. Recovery
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