1N1206A

1N1206A GeneSiC Semiconductor


1n1206a-2453144.pdf Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 600V 12A Std. Recovery
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Technische Details 1N1206A GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: DO-4, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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1N1206A 1N1206A Hersteller : GeneSiC Semiconductor s12m.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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1N1206A 1N1206A Hersteller : Microchip Technology S%2CR204.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 38 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
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