1N3600 Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 V Signal or Computer Diode
Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 V Signal or Computer Diode
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details 1N3600 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Supplier Device Package: DO-35, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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1N3600 | Hersteller : Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 50V 0.2A 4ns 2-Pin DO-7 Bag |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N3600 | Hersteller : Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 50V 0.2A 4ns 2-Pin DO-7 Bag |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N3600 |
auf Bestellung 1511 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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1N3600 Produktcode: 67420 |
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 |
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1N3600 | Hersteller : Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 50V 0.2A 4ns 2-Pin DO-7 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N3600 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
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