1N4002G

1N4002G ON Semiconductor


1n4001-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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Technische Details 1N4002G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 1N4002G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N4002, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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1N4002-G 1N4002-G Hersteller : Comchip Technology 1041n400120thru.201n400720reva.pdf Rectifier Diode 100V 1A 2-Pin DO-41
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1N4002-G 1N4002-G Hersteller : Comchip Technology 1041n400120thru.201n400720reva.pdf Rectifier Diode 100V 1A 2-Pin DO-41
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1N4002-G 1N4002-G Hersteller : Comchip Technology 1041n400120thru.201n400720reva.pdf Rectifier Diode 100V 1A 2-Pin DO-41
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1N4002G 1N4002G Hersteller : ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Rectifier Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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1N4002G 1N4002G Hersteller : onsemi 1N4001_D-2309631.pdf Rectifiers 100V 1A Standard
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1N4002G 1N4002G Hersteller : ONSEMI 1N4001-D.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59
Max. forward voltage: 1.1V
Quantity in set/package: 1000pcs.
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1N4002G 1N4002G Hersteller : ONSEMI 1N4001-D.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59
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1N4002-G 1N4002-G Hersteller : Comchip Technology 1N4001-G%20Thru.%201N4007-G%20RevB.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
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1N4002-G 1N4002-G Hersteller : Comchip Technology 1N4001-G_Thru._1N4007-G_RevB-1878640.pdf Rectifiers VR=100V, IO=1A
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1N4002G 1N4002G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1N4001G-1N4007G%20N0544%20REV.A.pdf Rectifiers 1A, 100V, Standard Recovery Rectifier
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25000+ 0.088 EUR
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1N4002G 1N4002G Hersteller : ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Rectifier Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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1N4002G 1N4002G Hersteller : EIC Semiconductor 1n4001g_7g.pdf Rectifier Diode 100V 1A 2-Pin DO-41
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1N4002G 1N4002G Hersteller : SMC Diode Solutions 1N4001G-1N4007G%20N0544%20REV.A.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
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1N4002-G 1N4002-G Hersteller : Comchip Technology 1N4001-G%20Thru.%201N4007-G%20RevB.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO41
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
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1N4002G 1N4002G Hersteller : EIC Semiconductor 1n4001g_7g.pdf Rectifier Diode 100V 1A 2-Pin DO-41
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1N4002G 1N4002G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013902349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N4002G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4002
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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1N4002G 1N4002G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1n4001g20series_p2104.pdf Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-41 T/R
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1N4002-G 1N4002-G Hersteller : Comchip Technology 1041n400120thru.201n400720reva.pdf Rectifier Diode 100V 1A 2-Pin DO-41
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1N4002G 1N4002G Hersteller : Rectron 1n4001g-1n4007g.pdf Diode 100V 1A 2-Pin DO-41
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