1N4150-1

1N4150-1 Microchip Technology


sa7-25.pdf Hersteller: Microchip Technology
Diode Switching 50V 0.2A 2-Pin DO-35 Bag
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Technische Details 1N4150-1 Microchip Technology

Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Supplier Device Package: DO-35, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V.

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1N4150-1 1N4150-1 Hersteller : Microchip Technology 5806-1n4150-1-datasheet Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
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1N4150-1 1N4150-1 Hersteller : Microchip Technology sa7-25.pdf Rectifier Diode Switching 50V 4ns 2-Pin DO-35 Bag
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