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1N4249

1N4249 NTE Electronics, Inc

1N4245_49.pdf Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
Packaging: Bag
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Axial
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
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Technische Details 1N4249 NTE Electronics, Inc

Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: A, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 5 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: A, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V.

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1N4249 1N4249 Hersteller : Microchip Technology .9FPpJu5AP1aUgR7JrmfstsK.KmMKGhkaHfvCRH5gx0 123513-lds-0191-datasheet 1N4245_49.pdf Rectifiers Rectifier
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1N4249 Hersteller : NTE Electronics, Inc. .9FPpJu5AP1aUgR7JrmfstsK.KmMKGhkaHfvCRH5gx0 123513-lds-0191-datasheet 1N4245_49.pdf General Purpose Silicon Rectifier
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Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
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Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Axial
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
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1N4249 1N4249 Hersteller : Microchip Technology 123513-lds-0191-datasheet Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
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Package / Case: A, Axial
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Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 5 µs
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Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
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