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1N4448TR

1N4448TR ON Semiconductor

1n914-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Diode Small Signal Switching 100V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R
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Technische Details 1N4448TR ON Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Supplier Device Package: DO-35, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA, Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 100, Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 20 V.

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1N4448TR 1N4448TR Hersteller : ON Semiconductor 1n914-d.pdf Diode Small Signal Switching 100V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R
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1N4448TR 1N4448TR Hersteller : ON Semiconductor 1n914-d.pdf Diode Small Signal Switching 100V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R
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1N4448TR 1N4448TR Hersteller : Vishay 1n4448.pdf Diode Small Signal Switching Si 100V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R
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1N4448TR 1N4448TR Hersteller : Vishay 1n4448.pdf Diode Small Signal Switching Si 100V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R
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1N4448TR 1N4448TR Hersteller : Vishay 1n4448.pdf Diode Small Signal Switching Si 100V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R
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1N4448TR 1N4448TR Hersteller : onsemi 1n914-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
auf Bestellung 270000 Stücke:
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10000+0.031 EUR
30000+ 0.029 EUR
50000+ 0.025 EUR
100000+ 0.023 EUR
250000+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
1N4448TR 1N4448TR Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4448.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 8 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
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30000+ 0.063 EUR
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1N4448TR 1N4448TR Hersteller : ON Semiconductor 1n914-d.pdf Diode Small Signal Switching 100V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R
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2342+0.067 EUR
4630+ 0.033 EUR
4951+ 0.03 EUR
7875+ 0.018 EUR
15000+ 0.013 EUR
30000+ 0.012 EUR
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1N4448TR 1N4448TR Hersteller : Vishay 1n4448.pdf Diode Small Signal Switching Si 100V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R
auf Bestellung 43453 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
2189+0.072 EUR
2711+ 0.056 EUR
2968+ 0.049 EUR
3279+ 0.043 EUR
6000+ 0.037 EUR
15000+ 0.031 EUR
30000+ 0.026 EUR
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1N4448TR 1N4448TR Hersteller : ONSEMI 1N91x_1N4x48.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 300mA; Ifsm: 4A; DO35; Ufmax: 1V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.5W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
556+0.13 EUR
715+ 0.1 EUR
878+ 0.082 EUR
1316+ 0.054 EUR
2110+ 0.034 EUR
2632+ 0.027 EUR
3125+ 0.023 EUR
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1N4448TR 1N4448TR Hersteller : ONSEMI 1N91x_1N4x48.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 300mA; Ifsm: 4A; DO35; Ufmax: 1V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.5W
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715+ 0.1 EUR
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1316+ 0.054 EUR
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3497+ 0.02 EUR
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1N4448TR 1N4448TR Hersteller : ON Semiconductor 1n914-d.pdf Diode Small Signal Switching 100V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R
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875+0.18 EUR
1516+ 0.1 EUR
1637+ 0.09 EUR
1916+ 0.074 EUR
1935+ 0.07 EUR
2342+ 0.055 EUR
4630+ 0.027 EUR
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1N4448TR 1N4448TR Hersteller : Vishay 1n4448.pdf Diode Small Signal Switching Si 100V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R
auf Bestellung 43453 Stücke:
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709+0.22 EUR
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2189+ 0.062 EUR
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1N4448TR 1N4448TR Hersteller : onsemi 1n914-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
auf Bestellung 277968 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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112+0.23 EUR
164+ 0.16 EUR
304+ 0.086 EUR
500+ 0.067 EUR
1000+ 0.047 EUR
2000+ 0.039 EUR
5000+ 0.036 EUR
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1N4448TR 1N4448TR Hersteller : onsemi / Fairchild 1N914_D-2309448.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
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216+0.24 EUR
328+ 0.16 EUR
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1250+ 0.042 EUR
2500+ 0.036 EUR
10000+ 0.029 EUR
20000+ 0.026 EUR
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1N4448TR 1N4448TR Hersteller : VISHAY 1n4448.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.15A; reel,tape; Ifsm: 2A; DO35; 440mW
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Max. load current: 0.5A
Reverse recovery time: 8ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 4pF
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.44W
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
228+0.31 EUR
385+ 0.19 EUR
658+ 0.11 EUR
923+ 0.078 EUR
1099+ 0.065 EUR
3185+ 0.022 EUR
3379+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 228
1N4448TR 1N4448TR Hersteller : VISHAY 1n4448.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.15A; reel,tape; Ifsm: 2A; DO35; 440mW
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Max. load current: 0.5A
Reverse recovery time: 8ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 4pF
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.44W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
228+0.31 EUR
385+ 0.19 EUR
658+ 0.11 EUR
923+ 0.078 EUR
1099+ 0.065 EUR
3185+ 0.022 EUR
3379+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 228
1N4448TR 1N4448TR Hersteller : Vishay Semiconductors 1n914-d.pdf 1n4448.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/75V Io/150mA T/R
auf Bestellung 370073 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
108+0.48 EUR
153+ 0.34 EUR
371+ 0.14 EUR
1000+ 0.086 EUR
2500+ 0.078 EUR
10000+ 0.062 EUR
25000+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 108
1N4448TR 1N4448TR Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4448.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 8 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
auf Bestellung 55698 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
53+0.49 EUR
77+ 0.34 EUR
158+ 0.17 EUR
500+ 0.14 EUR
1000+ 0.096 EUR
2000+ 0.083 EUR
5000+ 0.077 EUR
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1N4448TR 1N4448TR Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013660486-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N4448TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 25635 Stücke:
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1N4448 TR 1N4448 TR Hersteller : Central Semiconductor Corp 1N4446-4449.PDF Description: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
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1N4448/TR 1N4448/TR Hersteller : Microchip Technology lds_0239-1592401.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching Signal or Computer Diode
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1N4448/TR Hersteller : Microchip Technology wt5-11.pdf Computer Diode Switching
Produkt ist nicht verfügbar
1N4448 TR 1N4448 TR Hersteller : Central Semiconductor Corp 1N4446-4449.PDF Description: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
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1N4448/TR 1N4448/TR Hersteller : Microchip Technology Description: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 100
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 20 V
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1N4448/TR Hersteller : Microchip Technology wt5-11.pdf Computer Diode Switching
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1N4448TR 1N4448TR Hersteller : ON Semiconductor 1n914-d.pdf Diode Small Signal Switching 100V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R
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1N4448/TR 1N4448/TR Hersteller : Microchip Technology wt5-11.pdf Computer Diode Switching
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1N4448TR 1N4448TR Hersteller : Vishay 1n4448.pdf Rectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.3A 8ns 2-Pin DO-35 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
1N4448TR 1N4448TR Hersteller : ON Semiconductor 1n914-d.pdf Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.3A 4ns 2-Pin DO-35 T/R
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