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Technische Details 1N5187 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 200 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V.
Weitere Produktangebote 1N5187
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| 1N5187 | Hersteller : Sensitron Semiconductors |
 Rectifier Diode Switching 200V 3A 200ns 2-Pin Case 303 |
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1N5187 | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Switching 200V 3A 2-Pin Case E Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5187 | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Switching 200V 3A 2-Pin Case E Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5187 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V |
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