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| 3+ | 18.28 EUR |
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Technische Details 1N5190 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 400 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V.
Weitere Produktangebote 1N5190
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| 1N5190 | Hersteller : Sensitron Semiconductors |
 Rectifier Diode Switching 600V 3A 400ns 2-Pin Case 303 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5190 | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Switching 600V 3A 2-Pin Case E Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5190 | Hersteller : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 600V 3A 400ns 2-Pin Case E Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5190 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V |
Produkt ist nicht verfügbar |