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1N5401G

1N5401G Good-Ark


21n540xg.pdf Hersteller: Good-Ark
Rectifier Diode 100V 3A 2-Pin DO-201AD
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Technische Details 1N5401G Good-Ark

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5401G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 3 A, Einfach, 1.1 V, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N5401, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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1N5401G 1N5401G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 100V 3A 2-Pin DO-201AD Box
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1N5401G 1N5401G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 100V 3A 2-Pin DO-201AD Box
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1N5401-G 1N5401-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 100V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
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1N5401-G 1N5401-G Hersteller : Comchip Technology QW-BG015 1N5400-G Thru. 1N5408-G RevA.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO27
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
auf Bestellung 40800 Stücke:
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2400+ 0.27 EUR
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1N5401-G 1N5401-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 100V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
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608+ 0.24 EUR
1040+ 0.14 EUR
1051+ 0.13 EUR
1058+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 465
1N5401G 1N5401G Hersteller : Good-Ark 21n540xg.pdf Rectifier Diode 100V 3A 2-Pin DO-201AD
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1031+ 0.13 EUR
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1N5401G 1N5401G Hersteller : ONSEMI 1n5400-d.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 50µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 501 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
125+0.57 EUR
137+ 0.52 EUR
160+ 0.45 EUR
194+ 0.37 EUR
343+ 0.21 EUR
363+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 125
1N5401G 1N5401G Hersteller : ONSEMI 1n5400-d.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 50µA
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
125+0.57 EUR
137+ 0.52 EUR
160+ 0.45 EUR
194+ 0.37 EUR
343+ 0.21 EUR
363+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 125
1N5401-G 1N5401-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 100V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
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8400+ 0.58 EUR
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1N5401-G 1N5401-G Hersteller : Comchip Technology QW_BG015_1N5400_G_Thru__1N5408_G_RevA-2506339.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching VR=100V, IO=3A
auf Bestellung 3524 Stücke:
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54+0.97 EUR
71+ 0.74 EUR
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500+ 0.41 EUR
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2400+ 0.26 EUR
9600+ 0.23 EUR
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1N5401-G 1N5401-G Hersteller : Comchip Technology QW-BG015 1N5400-G Thru. 1N5408-G RevA.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
auf Bestellung 41983 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
27+0.99 EUR
35+ 0.76 EUR
100+ 0.46 EUR
500+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 27
1N5401G 1N5401G Hersteller : onsemi 1n5400-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
auf Bestellung 8002 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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24+1.12 EUR
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500+ 0.49 EUR
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2000+ 0.3 EUR
5000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 24
1N5401G 1N5401G Hersteller : onsemi 1N5400_D-2307973.pdf Rectifiers 100V 3A Standard
auf Bestellung 4833 Stücke:
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46+1.14 EUR
60+ 0.88 EUR
100+ 0.53 EUR
500+ 0.48 EUR
1000+ 0.3 EUR
2500+ 0.29 EUR
7500+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 46
1N5401G 1N5401G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 100V 3A 2-Pin DO-201AD Box
auf Bestellung 25 Stücke:
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1N5401G 1N5401G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 100V 3A 2-Pin DO-201AD Box
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1N5401G 1N5401G Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR 2182646.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5401G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 3 A, Einfach, 1.1 V, 125 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 125A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5401
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1N5401G 1N5401G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 100V 3A 2-Pin DO-201AD Box
auf Bestellung 5305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1N5401G 1N5401G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0005578215-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 1N5401G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 68534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1N5401G 1N5401G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Produkt ist nicht verfügbar
1N5401G 1N5401G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 100V 3A 2-Pin DO-201AD Box
Produkt ist nicht verfügbar
1N5401G 1N5401G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifiers 3A, 100V, Standard Recovery Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
1N5401-G 1N5401-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 100V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
1N5401G 1N5401G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 100V 3A 2-Pin DO-201AD Box
Produkt ist nicht verfügbar
1N5401G 1N5401G Hersteller : EIC Semiconductor 2531n5400g_8g.pdf Diode Si 100V 3A 2-Pin DO-201AD
Produkt ist nicht verfügbar
1N5401G 1N5401G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar