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1N5406-G

1N5406-G Comchip Technology

QW-BG015 1N5400-G Thru. 1N5408-G RevA.pdf Hersteller: Comchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO27
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
auf Bestellung 14400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details 1N5406-G Comchip Technology

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5406G - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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1N5406G 1N5406G Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation 1n5400-d.pdf 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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1N5406G 1N5406G Hersteller : ONSEMI 1n5400-d.pdf 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 600V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 50µA
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
148+0.49 EUR
167+ 0.43 EUR
184+ 0.39 EUR
235+ 0.3 EUR
285+ 0.25 EUR
435+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 148
1N5406G 1N5406G Hersteller : ONSEMI 1n5400-d.pdf 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 600V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 50µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 530 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
148+0.49 EUR
167+ 0.43 EUR
184+ 0.39 EUR
235+ 0.3 EUR
285+ 0.25 EUR
435+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 148
1N5406G 1N5406G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201AD Box
auf Bestellung 6476 Stücke:
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272+0.58 EUR
354+ 0.43 EUR
480+ 0.31 EUR
638+ 0.22 EUR
1180+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 272
1N5406-G 1N5406-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 600V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
auf Bestellung 14400 Stücke:
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1N5406G 1N5406G Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation 1n5400-d.pdf 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
auf Bestellung 3627 Stücke:
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29+0.91 EUR
37+ 0.7 EUR
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1N5406G 1N5406G Hersteller : onsemi 1n5400-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
auf Bestellung 991 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
27+0.99 EUR
35+ 0.76 EUR
100+ 0.45 EUR
500+ 0.42 EUR
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1N5406-G 1N5406-G Hersteller : Comchip Technology QW_BG015_1N5400_G_Thru__1N5408_G_RevA-2506339.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching VR=600V, IO=3A
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53+0.99 EUR
68+ 0.77 EUR
113+ 0.46 EUR
500+ 0.43 EUR
1200+ 0.29 EUR
2400+ 0.23 EUR
9600+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 53
1N5406G 1N5406G Hersteller : onsemi 1N5400_D-2307973.pdf Rectifiers 600V 3A Standard
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50+1.04 EUR
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1N5406G 1N5406G Hersteller : Good-Ark 21n540xg.pdf Rectifier Diode 600V 3A 2-Pin DO-201AD
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1N5406G 1N5406G Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013443371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5406G - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 125A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1541 Stücke:
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1N5406G 1N5406G Hersteller : Good-Ark 21n540xg.pdf Rectifier Diode 600V 3A 2-Pin DO-201AD
auf Bestellung 349 Stücke:
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1N5406G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1301n5400g20series_g12.pdf Diode 600V 3A 2-Pin DO-201AD
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1N5406G 1N5406G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1n5400-d.pdf 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Rectifiers 3A, 600V, Standard Recovery Rectifier
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1N5406G 1N5406G Hersteller : SMC Diode Solutions 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
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1N5406G Hersteller : Diodes Inc 1n5400g-1n5408g-9.pdf Diode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201AD
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1N5406G 1N5406G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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1N5406G 1N5406G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201AD Box
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1N5406G 1N5406G Hersteller : EIC Semiconductor 2531n5400g_8g.pdf Diode Si 600V 3A 2-Pin DO-201AD
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1N5406G 1N5406G Hersteller : Rectron 1n5400g-1n5408g.pdf Diode 600V 3A 2-Pin DO-201AD
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1N5406G 1N5406G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201AD Box
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1N5406G 1N5406G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201AD Box
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1N5406-G 1N5406-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 600V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
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1N5406-G 1N5406-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 600V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
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1N5406G 1N5406G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
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