1N5407G ON Semiconductor
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Technische Details 1N5407G ON Semiconductor
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5407G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 200A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote 1N5407G nach Preis ab 0.15 EUR bis 1.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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1N5407-G | Hersteller : Comchip Technology |
 Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo |
auf Bestellung 8400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5407G | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
auf Bestellung 3471 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5407-G | Hersteller : Comchip Technology |
Diodes - General Purpose, Power, Switching VR=800V, IO=3A |
auf Bestellung 3389 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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1N5407G | Hersteller : onsemi |
Rectifiers 800V 3A Standard |
auf Bestellung 9497 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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1N5407G | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
auf Bestellung 8150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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1N5407G | Hersteller : Good-Ark |
Rectifier Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD |
auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5407G | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5407G | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5407G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5407G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: -ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 6390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5407G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5407G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: -ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5407 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 8262 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5407G | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5407G | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5407G | Hersteller : EIC Semiconductor |
Diode Si 800V 3A 2-Pin DO-201AD |
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| 1N5407G | Hersteller : Lite-On Electronics |
Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 1N5407G | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 800V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V; Ir: 50uA Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 50µA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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1N5407G | Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: tape Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.1V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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1N5407G | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
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1N5407-G | Hersteller : Comchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO27 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
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1N5407-G | Hersteller : Comchip Technology |
Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo |
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1N5407G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 3A, 800V, Standard Recovery Rectifier |
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1N5407-G | Hersteller : Comchip Technology |
Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 1N5407G | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 800V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V; Ir: 50uA Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 50µA |
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1N5407G | Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: tape Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.1V |
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