1N5408G

1N5408G Taiwan Semiconductor


1n5400g20series_k2105.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor
Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R
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Technische Details 1N5408G Taiwan Semiconductor

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5408G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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1N5408G 1N5408G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1n5400g20series_k2105.pdf Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R
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1N5408G 1N5408G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box
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1N5408G 1N5408G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box
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1N5408G 1N5408G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box
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1N5408G 1N5408G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box
auf Bestellung 4000 Stücke:
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1N5408G 1N5408G Hersteller : EIC Semiconductor 2531n5400g_8g.pdf Diode Si 1KV 3A 2-Pin DO-201AD
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1N5408G 1N5408G Hersteller : SMC Diode Solutions 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 3750 Stücke:
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1250+0.26 EUR
2500+ 0.23 EUR
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1N5408G 1N5408G Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation 1N5400G%20SERIES_K2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
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1250+0.27 EUR
2500+ 0.24 EUR
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1N5408-G 1N5408-G Hersteller : Comchip Technology QW-BG015 1N5400-G Thru. 1N5408-G RevA.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 32400 Stücke:
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1200+0.29 EUR
2400+ 0.27 EUR
6000+ 0.25 EUR
12000+ 0.23 EUR
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1N5408G 1N5408G Hersteller : ONSEMI 1N5400G%20SERIES_K2105.pdf 1n5400-d.pdf 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 1kV; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V; Ir: 50uA
Mounting: THT
Case: DO27
Max. off-state voltage: 1kV
Max. forward voltage: 1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 200A
Leakage current: 50µA
Type of diode: switching
auf Bestellung 303 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
152+0.47 EUR
163+ 0.44 EUR
182+ 0.39 EUR
228+ 0.31 EUR
277+ 0.26 EUR
303+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 152
1N5408G 1N5408G Hersteller : ONSEMI 1N5400G%20SERIES_K2105.pdf 1n5400-d.pdf 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 1kV; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V; Ir: 50uA
Mounting: THT
Case: DO27
Max. off-state voltage: 1kV
Max. forward voltage: 1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 200A
Leakage current: 50µA
Type of diode: switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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1N5408G 1N5408G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box
auf Bestellung 4572 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
332+0.48 EUR
553+ 0.28 EUR
597+ 0.25 EUR
1000+ 0.14 EUR
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1N5408-G 1N5408-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
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6000+0.6 EUR
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14400+ 0.49 EUR
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1N5408G 1N5408G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box
auf Bestellung 4572 Stücke:
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257+0.62 EUR
332+ 0.46 EUR
553+ 0.27 EUR
597+ 0.24 EUR
1000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 257
1N5408G 1N5408G Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation 1N5400G%20SERIES_K2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 9825 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
29+0.91 EUR
37+ 0.7 EUR
100+ 0.42 EUR
500+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 29
1N5408G 1N5408G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1N5400G%20SERIES_K2105.pdf 1n5400-d.pdf 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Rectifiers 3A, 1000V, Standard Recovery Rectifier
auf Bestellung 6098 Stücke:
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57+0.92 EUR
74+ 0.71 EUR
122+ 0.43 EUR
500+ 0.4 EUR
1250+ 0.27 EUR
2500+ 0.23 EUR
10000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 57
1N5408G 1N5408G Hersteller : onsemi 1n5400-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
auf Bestellung 24733 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
28+0.94 EUR
36+ 0.73 EUR
100+ 0.43 EUR
500+ 0.4 EUR
1000+ 0.27 EUR
2000+ 0.25 EUR
5000+ 0.24 EUR
10000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 28
1N5408-G 1N5408-G Hersteller : Comchip Technology QW-BG015 1N5400-G Thru. 1N5408-G RevA.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 20509 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
27+0.99 EUR
35+ 0.76 EUR
100+ 0.46 EUR
500+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 27
1N5408-G 1N5408-G Hersteller : Comchip Technology QW_BG015_1N5400_G_Thru__1N5408_G_RevA-2506339.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching VR=1000V, IO=3A
auf Bestellung 6088 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
53+0.99 EUR
68+ 0.77 EUR
113+ 0.46 EUR
500+ 0.42 EUR
1200+ 0.29 EUR
2400+ 0.26 EUR
9600+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 53
1N5408G 1N5408G Hersteller : onsemi 1N5400_D-2307973.pdf Rectifiers 1000V 3A Standard
auf Bestellung 43778 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+1.04 EUR
69+ 0.76 EUR
100+ 0.59 EUR
500+ 0.47 EUR
1000+ 0.36 EUR
52500+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 50
1N5408G 1N5408G Hersteller : SMC Diode Solutions 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+1.07 EUR
35+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 25
1N5408G 1N5408G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: DO27
Max. off-state voltage: 1kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: tape
Type of diode: rectifying
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
67+1.07 EUR
90+ 0.8 EUR
244+ 0.29 EUR
258+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 67
1N5408G 1N5408G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: DO27
Max. off-state voltage: 1kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: tape
Type of diode: rectifying
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
67+1.07 EUR
90+ 0.8 EUR
244+ 0.29 EUR
258+ 0.27 EUR
558+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 67
1N5408G 1N5408G Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013443371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5408G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 125A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1N5408G 1N5408G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013179088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N5408G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 13851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1N5408G 1N5408G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box
auf Bestellung 4250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1N5408G 1N5408G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1n5400g20series_k2105.pdf Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD
auf Bestellung 3750 Stücke:
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1N5408-G 1N5408-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
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1N5408G 1N5408G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1n5400g20series_k2105.pdf Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R
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1N5408-G 1N5408-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
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