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Technische Details 1N5418US Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A D-5B, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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1N5418US | Hersteller : Microchip Technology |
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Rectifier Diode Switching 400V 3A 150ns 2-Pin MELF-B |
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Diode Switching 400V 3A 2-Pin E-MELF Bag |
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| 1N5418US | Hersteller : MICROSEMI |
E_SQ_MELF/SURFACE MOUNT FAST RECOVERY GLASS RECTIFIER (100-500NS) 1N5418 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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1N5418US | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A D-5B Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V |
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