1N5615US Microchip Technology
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Technische Details 1N5615US Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, A, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: D-5A, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V.
Weitere Produktangebote 1N5615US nach Preis ab 15.7 EUR bis 16.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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1N5615US | Hersteller : Microchip Technology |
 Rectifiers UFR,FRR |
auf Bestellung 340 Stücke: Lieferzeit 252-266 Tag (e) |
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1N5615US | Hersteller : Sensitron Semiconductors |
Rectifier Diode Switching 200V 1A 150ns 2-Pin MELF-1 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5615US | Hersteller : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 200V 1A 150ns 2-Pin A-MELF Bag |
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1N5615US | Hersteller : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 200V 1A 150ns 2-Pin A-MELF Bag |
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1N5615US | Hersteller : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 200V 1A 150ns 2-Pin A-MELF Bag |
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| 1N5615US | Hersteller : MICROSEMI |
A_SQ._MELF/Fast Rectifier (100-500ns) 1N5615 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5615US | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: D-5A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V |
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