1N5619US Microchip Technology
Hersteller: Microchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A D-5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 12V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V
auf Bestellung 145 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details 1N5619US Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A D-5A, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, A, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 250 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 12V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: D-5A, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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1N5619US | Hersteller : Microchip Technology / Atmel |
Rectifiers Rectifier |
auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 250-264 Tag (e) |
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| 1N5619US | Hersteller : MICROSEMI |
A_SQ._MELFFast Rectifier (100-500ns) 1N5619 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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