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Technische Details 1N5660A Solid State Inc.
Category: Unidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 1.5kW; 130.5V; 8.4A; unidirectional; ±5%; DO13, Case: DO13, Tolerance: ±5%, Max. off-state voltage: 111V, Semiconductor structure: unidirectional, Max. forward impulse current: 8.4A, Breakdown voltage: 130.5V, Leakage current: 5µA, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 1.5kW, Mounting: THT, Anzahl je Verpackung: 100 Stücke.
Weitere Produktangebote 1N5660A nach Preis ab 39.96 EUR bis 43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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1N5660A | Hersteller : Microchip Technology |
 ESD Suppressors / TVS Diodes TVS |
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| 1N5660A | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Unidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 1.5kW; 130.5V; 8.4A; unidirectional; ±5%; DO13 Case: DO13 Tolerance: ±5% Max. off-state voltage: 111V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 8.4A Breakdown voltage: 130.5V Leakage current: 5µA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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| 1N5660A | Hersteller : MICROSEMI |
DO13/1500W UNIDIRECTINAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 1N5660 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 1N5660A | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Unidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 1.5kW; 130.5V; 8.4A; unidirectional; ±5%; DO13 Case: DO13 Tolerance: ±5% Max. off-state voltage: 111V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 8.4A Breakdown voltage: 130.5V Leakage current: 5µA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Mounting: THT |
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