1N5807 Microchip Technology
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Technische Details 1N5807 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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1N5807 | Hersteller : Microchip Technology |
 Rectifier Diode Switching 50V 6A 30ns 2-Pin Case E Bag |
auf Bestellung 1052 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5807 | Hersteller : Microchip Technology |
Rectifiers 50V 3A UFR,FRR THT |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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1N5807 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V |
auf Bestellung 185 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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1N5807 | Hersteller : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 50V 6A 30ns 2-Pin Case E Bag |
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