1N6045 Microchip Technology
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Technische Details 1N6045 Microchip Technology
Category: Bidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 18V; 56.5A; bidirectional; DO13; 1.5kW, Mounting: THT, Case: DO13, Semiconductor structure: bidirectional, Max. forward impulse current: 56.5A, Breakdown voltage: 18V, Leakage current: 5µA, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 1.5kW, Max. off-state voltage: 14V, Anzahl je Verpackung: 100 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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1N6045 | Hersteller : Microchip Technology |
 TVS Diode Single Bi-Dir 14V 1.5KW 2-Pin DO-13 Bag |
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1N6045 | Hersteller : Microchip Technology |
TVS Diode Single Bi-Dir 14V 1.5KW 2-Pin DO-13 Bag |
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| 1N6045 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 18V; 56.5A; bidirectional; DO13; 1.5kW Mounting: THT Case: DO13 Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 56.5A Breakdown voltage: 18V Leakage current: 5µA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 14V Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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| 1N6045 | Hersteller : MICROSEMI |
DO13/1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 1N6045 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| 1N6045 | Hersteller : Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 14V 26.5V DO13 |
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1N6045 | Hersteller : Microchip / Microsemi |
ESD Suppressors / TVS Diodes TVS |
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| 1N6045 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 18V; 56.5A; bidirectional; DO13; 1.5kW Mounting: THT Case: DO13 Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 56.5A Breakdown voltage: 18V Leakage current: 5µA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 14V |
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