1N6479HE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division
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Technische Details 1N6479HE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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1N6479HE3/97 | Hersteller : Vishay Semiconductors | Rectifiers 100 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM |
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1N6479HE3/97 | Hersteller : Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM |
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