1N6625E3
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Technische Details 1N6625E3
Description: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Supplier Device Package: A, Axial, Package / Case: A, Axial, Mounting Type: Through Hole, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 1000V, Reverse Recovery Time (trr): 80ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95V @ 1.5A, Current - Average Rectified (Io): 1A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1100V (1.1kV), Diode Type: Standard.
Preis 1N6625E3 ab 24.79 EUR bis 53.37 EUR
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1N6625E3 Hersteller: Microsemi Ultra Fast Recovery Glass Rectifiers 
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 Hersteller: Microchip / Microsemi Rectifiers Rectifier
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 Hersteller: Microsemi Commercial Components Group Description: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Supplier Device Package: A, Axial Package / Case: A, Axial Mounting Type: Through Hole Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 1000V Reverse Recovery Time (trr): 80ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95V @ 1.5A Current - Average Rectified (Io): 1A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1100V (1.1kV) Diode Type: Standard |
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