1N6625E3

1N6625E3

Hersteller: Microsemi
Ultra Fast Recovery Glass Rectifiers
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Technische Details 1N6625E3

Description: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Supplier Device Package: A, Axial, Package / Case: A, Axial, Mounting Type: Through Hole, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 1000V, Reverse Recovery Time (trr): 80ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95V @ 1.5A, Current - Average Rectified (Io): 1A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1100V (1.1kV), Diode Type: Standard.

Preis 1N6625E3 ab 24.79 EUR bis 53.37 EUR

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Hersteller: Microsemi
Ultra Fast Recovery Glass Rectifiers
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Hersteller: Microchip / Microsemi
Rectifiers Rectifier
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1N6625E3
Hersteller: Microsemi Commercial Components Group
Description: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: A, Axial
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 1000V
Reverse Recovery Time (trr): 80ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95V @ 1.5A
Current - Average Rectified (Io): 1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1100V (1.1kV)
Diode Type: Standard
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