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1N914TAP

1N914TAP Vishay

1n914.pdf Hersteller: Vishay
Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.3A 4ns Automotive AEC-Q101 2-Pin DO-35 Ammo
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Technische Details 1N914TAP Vishay

Description: VISHAY - 1N914TAP - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH), Durchlassstoßstrom: 4A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: 4ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N914, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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1N914TAP 1N914TAP Hersteller : Vishay 1n914.pdf Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.3A 4ns Automotive AEC-Q101 2-Pin DO-35 Ammo
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1N914TAP 1N914TAP Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n914.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 300MA DO35
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
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1N914TAP 1N914TAP Hersteller : Vishay Semiconductors 1n914.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 300mA
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1N914TAP 1N914TAP Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n914.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 300MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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5000+ 0.075 EUR
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1N914TAP 1N914TAP Hersteller : VISHAY VISH-S-A0011487923-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 1N914TAP - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N914
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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1N914TAP
Produktcode: 179612 		1n914.pdf Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
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1N914TAP 1N914TAP Hersteller : Vishay 1n914.pdf Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.3A 4ns Automotive AEC-Q101 2-Pin DO-35 Ammo
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1N914TAP 1N914TAP Hersteller : Vishay 1n914.pdf Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.3A 4ns Automotive 2-Pin DO-35 Ammo
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1N914TAP Hersteller : VISHAY 1n914.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 300mA; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 4pF
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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1N914TAP Hersteller : VISHAY 1n914.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 300mA; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 4pF
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: Ammo Pack
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