Suchergebnisse für "1PS59SB10" : 2

Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PHA1PS59SB10.115 PHI 07+;
auf Bestellung 198000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1PS59SB10,115 1PS59SB10,115 NXP USA Inc. 1PS59SB10_DS_Rev_Feb2017.pdf Description: DIODE SCHO 30V 200MA SMT3 MPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SMT3; MPAK
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHA1PS59SB10.115
Hersteller: PHI
07+;
auf Bestellung 198000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1PS59SB10,115 1PS59SB10_DS_Rev_Feb2017.pdf
1PS59SB10,115
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: DIODE SCHO 30V 200MA SMT3 MPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SMT3; MPAK
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH