2N1893 CDIL
Hersteller: CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.8/3W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.8/3W
Case: TO39
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 52+ | 1.4 EUR |
| 73+ | 0.98 EUR |
| 122+ | 0.59 EUR |
| 160+ | 0.45 EUR |
| 170+ | 0.42 EUR |
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Technische Details 2N1893 CDIL
Description: MULTICOMP PRO - 2N1893 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C.
Weitere Produktangebote 2N1893 nach Preis ab 0.42 EUR bis 67.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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2N1893 | Hersteller : CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.8/3W; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.8/3W Case: TO39 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 50MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 773 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N1893 | Hersteller : Harris Corporation |
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 15A, 150A Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW |
auf Bestellung 836 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N1893 | Hersteller : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N1893 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
auf Bestellung 681 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N1893 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 800mW 3-Pin TO-5 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N1893 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N1893 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO39 Packaging: Tube Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N1893 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW |
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2N1893 | Hersteller : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N1893 | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2N1893 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
Bipolar Transistors - BJT |
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