2N2219
2N2219
Hersteller: CDILNPN 800mA 40V 800mW 300MHz Trans. 2N2219 TO39 T2N2219
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Technische Details 2N2219
Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO-39, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Power - Max: 800 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD).
Preis 2N2219 ab 0.39 EUR bis 1.16 EUR
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2N2219 Hersteller: CDIL Material: 2N2219-CDI NPN THT transistors
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 Hersteller: Microchip Technology Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N2219 Hersteller: Microsemi Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N2219 Hersteller: CDIL Material: 2N2219-CDI NPN THT transistors
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7101 Stücke |
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2N2219 Hersteller: MICROSEMI TO-39 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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 Hersteller: STMicroelectronics Bipolar Transistors - BJT
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2N2219 Hersteller: Microchip Technology Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
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 Hersteller: Microchip Technology Bipolar Transistors - BJT BJTs
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2N2219 Hersteller: Microchip Technology Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
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;%20;%203.jpg "2N2219") Hersteller: Microchip Technology Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO-39 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
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