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2N2219A

2N2219A CDIL

2n2218a_19a.pdf Hersteller: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39; 4dB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.8/3W
Case: TO39
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
Noise Figure: 4dB
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
57+1.26 EUR
81+ 0.89 EUR
135+ 0.53 EUR
181+ 0.4 EUR
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Technische Details 2N2219A CDIL

Description: MULTICOMP PRO - 2N2219A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40V, 300MHz, 400mW, 800mA, 35hFE, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 800mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C.

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2N2219A 2N2219A Hersteller : CDIL 2n2218a_19a.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39; 4dB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.8/3W
Case: TO39
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
Noise Figure: 4dB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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57+1.26 EUR
81+ 0.89 EUR
135+ 0.53 EUR
181+ 0.4 EUR
182+ 0.39 EUR
192+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 57
2N2219A 2N2219A Hersteller : Good-Ark Semiconductor 2N2219A.pdf Description: TRANSISTOR, NPN, 50V, 0.8A, TO-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
auf Bestellung 1989 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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6+4.65 EUR
10+ 3.86 EUR
100+ 3.07 EUR
500+ 2.6 EUR
1000+ 2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6
2N2219A 2N2219A Hersteller : Microchip Technology lds-0091.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 262 Stücke:
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131+10.45 EUR
Mindestbestellmenge: 131
2N2219A 2N2219A Hersteller : Microchip Technology lds-0091.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 262 Stücke:
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15+10.6 EUR
100+ 9.41 EUR
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2N2219A 2N2219A Hersteller : Microchip Technology lds-0091.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 330 Stücke:
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11+14.97 EUR
25+ 12.87 EUR
50+ 12 EUR
100+ 11.03 EUR
250+ 9.84 EUR
Mindestbestellmenge: 11
2N2219A 2N2219A Hersteller : Microchip Technology 8917-lds-0091-datasheet Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 2057 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+16.35 EUR
100+ 15.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2
2N2219A 2N2219A Hersteller : Microchip Technology LDS_0091-1593924.pdf Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+16.46 EUR
100+ 15.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4
2N2219A 2N2219A Hersteller : MULTICOMP PRO 2861171.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N2219A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40V, 300MHz, 400mW, 800mA, 35hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N2219A 2N2219A Hersteller : Microchip Technology lds-0091.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N2219A 2N2219A Hersteller : onsemi TN2219A.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 800 mW
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2N2219A 2N2219A Hersteller : Semelab / TT Electronics semes04930_1-2283648.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS BI-POLAR POWER
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2N2219A 2N2219A Hersteller : STMicroelectronics 2N2222.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO39
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
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2N2219A 2N2219A Hersteller : Rectron 2n2219a20to-39.pdf O-39 NPN SILICON PLANAR SWITCHING RF TransistorS
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2N2219A 2N2219A Hersteller : Microchip Technology lds-0091.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N2219A 2N2219A Hersteller : Rectron 2n2219a20to-39.pdf O-39 NPN SILICON PLANAR SWITCHING RF TransistorS
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2N2219A 2N2219A Hersteller : STMicroelectronics 1370-01114-002.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N2219A 2N2219A Hersteller : Semelab 2n2219a.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39
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2N2219A 2N2219A Hersteller : Semelab (TT electronics) 2n2219a.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39
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2N2219A Hersteller : MICROSEMI 8917-lds-0091-datasheet 2N2219A.pdf TN2219A.pdf 2N2222.pdf TO-39/600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2N2219
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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