2N2222AUB Microchip Technology
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Technische Details 2N2222AUB Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A 3SMD, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: UB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 500 mW.
Weitere Produktangebote 2N2222AUB nach Preis ab 12.87 EUR bis 91.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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2N2222AUB | Hersteller : Microchip Technology |
 Bipolar Transistors - BJT 50 V Small-Signal BJT |
auf Bestellung 7300 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N2222AUB | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A 3SMD Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
auf Bestellung 2372 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N2222AUB | Hersteller : Optek Technology (TT electronics) |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 300mW 4-Pin LCC1 Waffle |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N2222AUB | Hersteller : Optek / TT Electronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. TRANSISTOR |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N2222AUB | Hersteller : TT Electronics/Optek Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A SMD Packaging: Bulk Package / Case: 3-LCC Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 15mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V Supplier Device Package: Ceramic SMD Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW |
auf Bestellung 213 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N2222AUB | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB Waffle |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N2222AUB | Hersteller : Optek Technology (TT electronics) |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 300mW 4-Pin LCC1 Waffle |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N2222AUB | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB Waffle |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N2222AUB | Hersteller : Optek Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 300mW 4-Pin LCC1 Waffle |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2N2222AUB | Hersteller : MICROSEMI |
TO18/NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR 2N2222 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |