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Technische Details 2N2857 Microchip Technology
Description: RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Gain: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 40mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V, Frequency - Transition: 500MHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Supplier Device Package: TO-72, Part Status: Obsolete.
Weitere Produktangebote 2N2857 nach Preis ab 10.88 EUR bis 10.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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2N2857 | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans RF BJT NPN 15V 0.04A 4-Pin TO-72 |
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2N2857 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans RF BJT NPN 15V 0.04A 4-Pin TO-72 |
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| 2N2857 | Hersteller : Central |
0751 |
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| 2N2857 | Hersteller : MOT |
CAN |
auf Bestellung 1288 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2N2857 | Hersteller : MOTOROLA |
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auf Bestellung 470 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2N2857 | Hersteller : MOTOROLA |
1989 |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N2857 | Hersteller : Microsemi Corporation |
Description: RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Gain: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Frequency - Transition: 500MHz Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Supplier Device Package: TO-72 Part Status: Obsolete |
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2N2857 | Hersteller : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
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| 2N2857 | Hersteller : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT |
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