2N2904 Microchip Technology
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Technische Details 2N2904 Microchip Technology
Description: PNP TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 10mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 600 mW.
Weitere Produktangebote 2N2904
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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2N2904 | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
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2N2904 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N2904 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: PNP TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 600 mW |
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| 2N2904 | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 600 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2N2904 | Hersteller : onsemi |
onsemi |
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