Technische Details 2N3250A MOT
Description: TRANS PNP 60V 0.2A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 360 mW.
Weitere Produktangebote 2N3250A
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| 2N3250A | Hersteller : MOTOROLA |
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auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N3250A | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.2A 360mW 3-Pin TO-39 |
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2N3250A | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.2A 360mW 3-Pin TO-39 |
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2N3250A | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 60V 0.2A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 360 mW |
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2N3250A | Hersteller : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT BJTs |
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