2N3439U4 Microchip Technology
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Technische Details 2N3439U4 Microchip Technology
Description: TRANS NPN 350V 1A U4, Packaging: Tray, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 2µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V, Supplier Device Package: U4, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 800 mW.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| 2N3439U4 | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans GP BJT NPN 350V 1A 800mW 3-Pin Case U4 Tray |
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~U4~3.JPG "2N3439U4") |
2N3439U4 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 350V 1A U4 Packaging: Tray Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: U4 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 800 mW |
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| 2N3439U4 | Hersteller : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 350 V Power BJT |
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