2N3501U4

2N3501U4 Microchip Technology


124125412-lds-0276-2.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 1000mW 3-Pin Case U4 Tray
Produkt ist nicht verfügbar

Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2N3501U4 Microchip Technology

Description: TRANS NPN 150V 0.3A U4, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: U4, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 1 W.

Weitere Produktangebote 2N3501U4

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
2N3501U4 2N3501U4 Hersteller : Microchip Technology 124125412-lds-0276-2.pdf Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 1000mW 3-Pin Case U4 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
2N3501U4 2N3501U4 Hersteller : Microchip Technology Description: TRANS NPN 150V 0.3A U4
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: U4
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
2N3501U4 2N3501U4 Hersteller : Microchip / Microsemi lds-0276-1651870.pdf Bipolar Transistors - BJT BJTs
Produkt ist nicht verfügbar
2N3501U4 2N3501U4 Hersteller : Microchip Technology lds_0276-1651870.pdf Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Produkt ist nicht verfügbar