2N3725 Microchip Technology
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Technische Details 2N3725 Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 1A TO5, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 950mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V, Supplier Device Package: TO-5, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 800 mW.
Weitere Produktangebote 2N3725 nach Preis ab 38.58 EUR bis 38.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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2N3725 | Hersteller : Microchip Technology / Atmel |
 Bipolar Transistors - BJT BJTs |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 539-553 Tag (e) |
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| 2N3725 | Hersteller : MOT |
CAN |
auf Bestellung 9369 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2N3725 | Hersteller : MOTO |
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auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N3725 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 3-Pin TO-39 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N3725 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 3-Pin TO-39 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2N3725 | Hersteller : National Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 1A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 950mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
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