2N3810 Microchip Technology
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Technische Details 2N3810 Microchip Technology
Description: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-78-6 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Power - Max: 350mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: TO-78-6, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote 2N3810 nach Preis ab 36.3 EUR bis 39.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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2N3810 | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78Packaging: Bulk Package / Case: TO-78-6 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-78-6 Part Status: Active |
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2N3810 | Hersteller : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT |
auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N3810 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 350mW 6-Pin TO-78 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N3810 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 350mW 6-Pin TO-78 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N3810 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 350mW 6-Pin TO-78 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2N3810 | Hersteller : MICROSEMI |
TO78/PNP DUAL TRANSISTORS 2N3810 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N3810 | Hersteller : SOLID STATE |
Description: SOLID STATE - 2N3810 - Bipolares Transistor-Array, PNP, -60 V, -50 mA, 600 mW, 150 hFE, TO-78 Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 150 Verlustleistung Pd: 600 Bauform - Transistor: TO-78 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -60 Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: -50 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |