2N3810L

2N3810L Microchip Technology


lds-0118.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 350mW 6-Pin TO-78 Bag
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Technische Details 2N3810L Microchip Technology

Description: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-78-6 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Power - Max: 350mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: TO-78-6.

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2N3810L 2N3810L Hersteller : Microchip Technology lds-0118.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 350mW 6-Pin TO-78 Bag
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2N3810L Hersteller : MICROSEMI 8931-lds-0118-datasheet TO78/PNP SILICON DUAL TRANSISTORS 2N3810
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2N3810L Hersteller : Microchip Technology 8931-lds-0118-datasheet Description: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-78-6
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2N3810L 2N3810L Hersteller : Microchip Technology Microchip_Technology_11202019_2N3810-1892061.pdf Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT
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