2N3879 Microchip Technology
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Technische Details 2N3879 Microchip Technology
Description: NPN TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 400mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 4mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 7 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V, Power - Max: 35 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| 2N3879 |
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2N3879 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 75V 7A 35000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray |
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2N3879 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 75V 7A 35000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray |
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2N3879 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 4mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V Power - Max: 35 W |
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