2N4401G ON-Semicoductor
Hersteller: ON-SemicoductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 2N4401RLRAG 2N4401G ONS T2N4401 ONS
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Technische Details 2N4401G ON-Semicoductor
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO92, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 625 mW.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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2N4401G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box |
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,TO-226_straightlead.jpg "2N4401G") |
2N4401G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
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2N4401G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V NPN |
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