2N4403G ON Semiconductor
Hersteller: ON SemiconductorТранзистор PNP; Uceo, В = 40; Ic = 600 мА; ft, МГц = 200; hFE = 100 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,75 @ 50 мА, 500 мА; Р, Вт = 0,625 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-92-3
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Technische Details 2N4403G ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO92, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 625 mW.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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2N4403G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box |
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2N4403G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
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2N4403G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 600mA 40V PNP |
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