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Technische Details 2N5192 ST
Description: TRANS NPN 80V 4A SOT32-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V, Frequency - Transition: 2MHz, Supplier Device Package: SOT-32-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 40 W.
Weitere Produktangebote 2N5192
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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2N5192 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
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2N5192 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 4A SOT32-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: SOT-32-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W |
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2N5192 | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Power Switching |
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2N5192 | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN |
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| 2N5192 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
Bipolar Transistors - BJT |
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| 2N5192 | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT |
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