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2N5551BU

2N5551BU ON Semiconductor

2n5551t-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details 2N5551BU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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2N5551BU 2N5551BU Hersteller : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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2N5551BU 2N5551BU Hersteller : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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2N5551BU 2N5551BU Hersteller : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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2N5551BU 2N5551BU Hersteller : onsemi technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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5000+ 0.13 EUR
10000+ 0.11 EUR
50000+ 0.098 EUR
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2N5551BU 2N5551BU Hersteller : onsemi / Fairchild 2N5551T_D-2997661.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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30000+ 0.1 EUR
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2N5551BU 2N5551BU Hersteller : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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2N5551BU 2N5551BU Hersteller : ONSEMI ONSMS13513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2N5551BU 2N5551BU Hersteller : ONSEMI 2N5551.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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2N5551BU 2N5551BU Hersteller : ONSEMI 2N5551.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 30...250
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