Technische Details 2N5672 MOT
Description: TRANS NPN 120V 30A TO3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A, Current - Collector Cutoff (Max): 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20A, 5V, Supplier Device Package: TO-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 6 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| 2N5672 | Hersteller : PHIL |
 01+ TO-3 |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N5672 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 120V 30A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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2N5672 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 120V 30A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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2N5672 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 120V 30A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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2N5672 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 120V 30A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A Current - Collector Cutoff (Max): 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20A, 5V Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 6 W |
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| 2N5672 | Hersteller : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
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