2N5686 MULTICOMP PRO
Hersteller: MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5686 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 2N5686 MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N5686 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-3, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 50A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-3, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C.
Weitere Produktangebote 2N5686
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N5686 | Hersteller : MOT/ON |
|
auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
 |
2N5686 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
2N5686 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
2N5686 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 2V Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 300 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
2N5686 | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 50A 80V 300W NPN |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| 2N5686 | Hersteller : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 80V 50A 300W NPN Power BJT THT |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| 2N5686 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |