2N5771
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
Technische Details 2N5771
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Power - Max: 350 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-92-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 300mV, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Bulk.
Preis 2N5771 ab 0 EUR bis 0 EUR
,TO-226_straightlead.jpg "2N5771") Hersteller: ON Semiconductor Description: TRANS PNP 15V 0.2A TO-92 Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 300mV Current - Collector Cutoff (Max): 10nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk 
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
 Hersteller: NTE Electronics, Inc Description: T-PNP SI- RF/IF AMP Supplier Device Package: TO-92-3 Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 350mW DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 300mV Current - Collector Cutoff (Max): 10nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Transistor Type: PNP Part Status: Active Packaging: Bag
|
auf Bestellung 171 Stücke  Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|
|
Hersteller: Rochester Electronics, LLC Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 300mV Current - Collector Cutoff (Max): 10nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|