2N5885G ON Semiconductor
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Technische Details 2N5885G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 25A TO204, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A, Current - Collector Cutoff (Max): 2mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), Current - Collector (Ic) (Max): 25 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 200 W.
Weitere Produktangebote 2N5885G nach Preis ab 9.77 EUR bis 9.77 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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2N5885G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 25A TO204 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A Current - Collector Cutoff (Max): 2mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 200 W |
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2N5885G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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2N5885G | Hersteller : ON Semiconductor |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N5885G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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2N5885G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5885G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 25 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 4 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 200 Übergangsfrequenz ft: 4 Bauform - Transistor: TO-204 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: 2NXXXX Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 25 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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2N5885G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 25A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A Current - Collector Cutoff (Max): 2mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 200 W |
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2N5885G | Hersteller : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 25A 60V 200W NPN |
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