Technische Details 2N6308 MOT
Description: NPN TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 2.67A, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 3A, 5V, Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 125 W.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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2N6308 | Hersteller : MOTOROLA |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6308 | Hersteller : Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 350V 8A 125000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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2N6308 | Hersteller : Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 350V 8A 125000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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2N6308 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 2.67A, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 3A, 5V Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 125 W |
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2N6308 | Hersteller : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
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